Zobrazeno 1 - 10
of 385
pro vyhledávání: '"Schroeder, Uwe P."'
Autor:
Rehm, Oliver, Baumgarten, Lutz, Guido, Roberto, Düring, Pia Maria, Gloskovskii, Andrei, Schlueter, Christoph, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe, Müller, Martina
Aluminum scandium nitride (Al$_{1-x}$Sc$_x$N) is a promising material for ferroelectric devices due to its large remanent polarization, scalability, and compatibility with semiconductor technology. By doping AlN with Sc, the bonds in the polar AlN st
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.21132
Autor:
Liu, Xiwen, Katti, Keshava, He, Yunfei, Jacob, Paul, Richter, Claudia, Schroeder, Uwe, Kurinec, Santosh, Chaudhari, Pratik, Jariwala, Deep
To address the increasing computational demands of artificial intelligence (AI) and big data, compute-in-memory (CIM) integrates memory and processing units into the same physical location, reducing the time and energy overhead of the system. Despite
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.09165
Autor:
Lancaster, Suzanne, Lomenzo, Patrick D, Engl, Moritz, Xu, Bohan, Mikolajick, Thomas, Schroeder, Uwe, Slesazeck, Stefan
Publikováno v:
Front. Nanotechnol., 17 August 2022
A measurement technique is presented to quantify the polarization loss in ferroelectric thin films as a function of delay time during the first 100s after switching. This technique can be used to investigate charge trapping in ferroelectric thin film
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2206.14593
Autor:
Dutta, Sangita, Buragohain, Pratyush, Glinsek, Sebastjan, Richter, Claudia, Aramberri, Hugo, Lu, Haidong, Schroeder, Uwe, Defay, Emmanuel, Gruverman, Alexei, Íñiguez, Jorge
Because of its compatibility with semiconductor-based technologies, hafnia (HfO$_{2}$) is today's most promising ferroelectric material for applications in electronics. Yet, knowledge on the ferroic and electromechanical response properties of this a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.07414
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hoffmann, Michael, Khan, Asif Islam, Serrao, Claudy, Lu, Zhongyuan, Salahuddin, Sayeef, Pešić, Milan, Slesazeck, Stefan, Schroeder, Uwe, Mikolajick, Thomas
Transient negative capacitance effects in epitaxial ferroelectric Pb(Zr$_{0.2}$Ti$_{0.8}$)O$_3$ capacitors are investigated with a focus on the dynamical switching behavior governed by domain nucleation and growth. Voltage pulses are applied to a ser
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1711.07070
Though the electrical responses of the various polymorphs found in ferroelectric polycrystalline thin film HfO$_2$ are now well characterized, little is currently understood of this novel material's grain sub-structure. In particular, the formation o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.08110
Autor:
Pešić, Milan, Künneth, Christopher, Hoffmann, Michael, Mulaosmanovic, Halid, Müller, Stefan, Breyer, Evelyn T., Schroeder, Uwe, Kersch, Alfred, Mikolajick, Thomas, Slesazeck, Stefan
The discovery of ferroelectric properties of binary oxides revitalized the interest in ferroelectrics and bridged the scaling gap between the state-of-the-art semiconductor technology and ferroelectric memories. However, before hitting the markets, t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1709.06983
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.