Zobrazeno 1 - 10 of 803 pro vyhledávání: '"Schroder, D."'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Design and optimization of a buried channel PMOS integrable in a Si 1− xGe x BiCMOS process
Autor: Khare, P., Schroder, D., Sampson, R.
Publikováno v: In Solid State Electronics 2007 51(6):828-837
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Two-side surface photovoltage studies for implanted iron diffusion in silicon during rapid thermal anneal.
Autor: Rapoport, I., Taylor, P., Kearns, J., Schroder, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan2010, Vol. 107 Issue 1, p013518-1-013518-6, 6p, 2 Diagrams, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Calculation of the electron Hall mobility and Hall scattering factor in 6H-SiC.
Autor: Ng, G., Vasileska, D., Schroder, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2009, Vol. 106 Issue 5, p053719-053725, 6p, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Epitaxial silicon minority carrier diffusion length by photoluminescence.
Autor: Baek, D. H., Kim, S. B., Schroder, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep2008, Vol. 104 Issue 5, p054503, 5p, 4 Diagrams, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Effects of high-temperature anneals and 60Co gamma-ray irradiation on strained silicon on insulator.
Autor: Park, K., Canonico, M., Celler, G. K., Seacrist, M., Chan, J., Gelpey, J., Holbert, K. E., Nakagawa, S., Tajima, M., Schroder, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct2007, Vol. 102 Issue 7, p074507, 5p, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
The effects of gas ambients on the formation of surface and bulk defects in silicon.
Autor: Kang, J. S., Schroder, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1988, Vol. 64 Issue 12, p6673, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Model potential calculation of the thermal donor energy spectrum in silicon.
Autor: Chen, C. S., Schroder, D. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/1988, Vol. 63 Issue 12, p5761, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje