Zobrazeno 1 - 10
of 649
pro vyhledávání: '"Schrimpf, R. d."'
Autor:
Luo, X. Y., O'Hara, A., Li, X., Wang, P. F., Zhang, E. X., Schrimpf, R. D., Pantelides, S. T., Fleetwood, D. M.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 1/14/2024, Vol. 135 Issue 2, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Islam, S., Senarath, A. S., Farzana, E., Ball, D. R., Sengupta, A., Hendricks, N. S., Bhattacharyya, A., Reed, R. A., Zhang, E. X., Speck, J. S., Fleetwood, D. M., Schrimpf, R. D.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science; 2024, Vol. 71 Issue: 4 p515-521, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Johnson, R. A., Witulski, A. F., Ball, D. R., Galloway, K. F., Sternberg, A. L., Reed, R. A., Schrimpf, R. D., Alles, J. M., Lauenstein, J. M., Javanainen, A., Raman, A., Chakraborty, P. S., Arslanbekov, R. R.
The onset of ion-induced reverse leakage current in SiC Schottky diodes is shown to depend on material properties, ion LET, and bias during irradiation, but not the voltage rating of the parts. This is demonstrated experimentally for devices from mul
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1222::739fe9189c7b5f9bc090a9bec5103fbc
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201910174498
http://urn.fi/URN:NBN:fi:jyu-201910174498