Zobrazeno 1 - 10
of 155
pro vyhledávání: '"Schreurs D.M.M.-P."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Principles and Applications of RF/Microwave in Healthcare and Biosensing 2017:243-294
Autor:
Li, C., Schreurs, D.M.M.-P.
Publikováno v:
In Principles and Applications of RF/Microwave in Healthcare and Biosensing 2017:1-52
Autor:
Farsi, S. ⁎, Schreurs, D.M.M.-P. ⁎
Publikováno v:
In Microwave Wireless Communications 2016:333-380
Publikováno v:
In Microwave Wireless Communications 2016:1-40
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Santarelli A., Niessen D., Cignani R., Gibiino G.P., Traverso P.A., Florian C., Schreurs D.M.M.-P., Filicori F.
Publikováno v:
IEEE transactions on microwave theory and techniques 62 (2014): 3262–3273. doi:10.1109/TMTT.2014.2364236
info:cnr-pdr/source/autori:Santarelli A.; Niessen D.; Cignani R.; Gibiino G.P.; Traverso P.A.; Florian C.; Schreurs D.M.M.-P.; Filicori F./titolo:GaN FET nonlinear modeling based on double pulse I%2FV characteristics/doi:10.1109%2FTMTT.2014.2364236/rivista:IEEE transactions on microwave theory and techniques/anno:2014/pagina_da:3262/pagina_a:3273/intervallo_pagine:3262–3273/volume:62
info:cnr-pdr/source/autori:Santarelli A.; Niessen D.; Cignani R.; Gibiino G.P.; Traverso P.A.; Florian C.; Schreurs D.M.M.-P.; Filicori F./titolo:GaN FET nonlinear modeling based on double pulse I%2FV characteristics/doi:10.1109%2FTMTT.2014.2364236/rivista:IEEE transactions on microwave theory and techniques/anno:2014/pagina_da:3262/pagina_a:3273/intervallo_pagine:3262–3273/volume:62
A state-space empirical nonlinear model for GaN-based field-effect transistors (FETs) is defined, along with the associated identification procedures based on a recently published double pulse measurement technique. Charge trapping phenomena are deal
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=cnr_________::943f5036b70f78d0bcacf48cffa3c2a5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2016 German Microwave Conference (GeMiC); 2016, p100-103, 4p