Zobrazeno 1 - 10
of 83
pro vyhledávání: '"Schrems, M."'
Autor:
Mutinati, G.C., Brunet, E., Koeck, A., Steinhauer, S., Yurchenko, O., Laubender, E., Urban, G., Siegert, J., Rohracher, K., Schrank, F., Schrems, M.
Publikováno v:
In Procedia Engineering 2014 87:787-790
Autor:
Griessler, C., Brunet, E., Maier, T., Steinhauer, S., Köck, A., Jordi, T., Schrank, F., Schrems, M.
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering August 2011 88(8):1779-1781
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Koffel, S., Burenkov, A., Sekowski, M., Pichler, P., Giubertoni, D., Bersani, M., Knaipp, M., Wachmann, E., Schrems, M., Yamamoto, Y., Bolze, D.
One of the main issues for the simulation of MOS transistors is the correct prediction of threshold voltages that depend on the active doping profiles in the channel under the gate oxide. Simulating a power MOS process we encountered a situation in w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::3e15eedd40302d82e842a4bc31002017
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/235422
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/235422
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Minixhofer, R., Feilchenfeld, N., Knaipp, M., Ro?hrer, G., Park, J.M., Zierak, M., Enichlmair, H., Levy, M., Loeffler, B., Hershberger, D., Unterleitner, F., Gautsch, M., Chatty, K., Shi, Y., Posch, W., Seebacher, E., Schrems, M., Dunn, J., Harame, D.
Publikováno v:
2010 22nd International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2010, p75-78, 4p