Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Schottky transistor"'
Publikováno v:
Materials
Volume 14
Issue 15
Materials, Vol 14, Iss 4109, p 4109 (2021)
Volume 14
Issue 15
Materials, Vol 14, Iss 4109, p 4109 (2021)
The outstanding properties of graphene-based components, such as twisted graphene, motivates nanoelectronic researchers to focus on their applications in device technology. Twisted graphene as a new class of graphene structures is investigated in the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c646e44e0b8cea4e86eb2208db514309
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 21, Iss 2, Pp 361-364 (2020)
In this paper described researched essentials and physical mechanisms of MESFET on epitaxy layers of GaAs with monocrystalline silicon wafer. Conducted computer modeling of MESFET with p-channel: distributions of potential, volumetric charge, current
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7805d13787bc51766641f95884826eb7
https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/3014
https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/3014
Autor:
Gaucher, Samuel
Diese Arbeit befasst sich mit dem Wachstum von Dünnschichtstrukturen, die zur Herstellung eines Spin-selektiven Schottky-Barrier-Tunneltransistors (SS-SBTT) erforderlich sind. Das Bauelement basiert auf dem Transport von Ladungsträgern durch eine d
Externí odkaz:
http://edoc.hu-berlin.de/18452/23291
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 49:544-550
Graphene nanoscrolls (GNSs) with interesting geometry are ideal candidates for nanotechnology applications, particularly in nanoelectronics. Hence, in recent years, much attention has been paid to investigation of GNS applications owing to their rema
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee4d2f930c2f9bcb7bebcbd9c7e5894f
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07801-7
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07801-7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Eastern-European Journal of Enterprise Technologies; Том 6, № 5(78) (2015): Applied physics; 32-40
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40
Восточно-Европейский журнал передовых технологий; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладная физика; 32-40
Східно-Європейський журнал передових технологій; Том 6, № 5(78) (2015): Прикладна фізика; 32-40
The paper describes the development of technology of multicharged ion implantation for GaAs. This technology is essential to creating high-performance VLSI structures. The main advantage of ion implantation of GaAs is optimizing the doping profile fo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::0dd3e81dce9f912e5689280f6b4d3f7d
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233
http://journals.uran.ua/eejet/article/view/54233
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Weber, Walter Michael
The scope of this thesis is the synthesis and electrical characterization of Si to Ni silicide nanowire heterostructures with the focus on investigating their electronic transport properties and conceiving a novel type of transistor. Intrinsic Si nan
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______518::323581f8e931ebc997a96b6ae5dbce84
https://mediatum.ub.tum.de/654514
https://mediatum.ub.tum.de/654514
Publikováno v:
International Journal of Nano Devices, Sensors and Systems (IJ-Nano). 2
In this study, high voltage arc discharge technique is used for direct fabrication of carbon nanotube strands for schottky interconnects to study prototype carbon nanotube field effect transistors. The CNT samples are grown between graphite electrode
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a6cd575b81b5e3bee8f8a13d3eb86697
https://doi.org/10.11591/ij-nano.v2i2.4117
https://doi.org/10.11591/ij-nano.v2i2.4117