Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Schottky p-GaN transistors"'
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, 2023, 144, pp.114955. ⟨10.1016/j.microrel.2023.114955⟩
Microelectronics Reliability, 2023, 144, pp.114955. ⟨10.1016/j.microrel.2023.114955⟩
International audience; In reliability studies, the instability of the threshold voltage (Vth) is problematic when Vth is used as an indicator as it totally blurs an eventual drift due to real device aging. This instability is observed during electri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1cb96c801ba33474e7adeb50754e1ddd
https://hal.science/hal-04049626
https://hal.science/hal-04049626
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.