Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Schottky barrier engineering"'
Publikováno v:
Walailak Journal of Science and Technology, Vol 15, Iss 11 (2018)
Herein, boron implantation technique was employed to engineer the Schottky barrier height (SBH) of Ti/n-type silicon junction (Ti/n-Si). The Ti/n-Si Schottky diodes with boron doses of 4, 5.4 and 6.6´1012 cm-2 at the energy of 25 keV were fabricated
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ebee036038ff4b3190fde99f3aa1a946
Publikováno v:
Walailak Journal of Science and Technology, Vol 15, Iss 11 (2018)
Scopus-Elsevier
Scopus-Elsevier
Herein, boron implantation technique was employed to engineer the Schottky barrier height (SBH) of Ti/n-type silicon junction (Ti/n-Si). The Ti/n-Si Schottky diodes with boron doses of 4, 5.4 and 6.6´1012 cm-2 at the energy of 25 keV were fabricated
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.