Filmes finos de WN e ALN e suas aplicações na fabricação de transitores mesfet

Autor: Lujan, Guilherme Sansigolo

Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP

Orientador: Peter Jurgen Tatsch Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação Resumo: Neste trabalho são caracterizados filmes finos de WN e AlN obtidos por sputtering DC em ambiente

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e9abfe3625c321ed5cdaf0ef8170b4d9
https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2000.192486

Desenvolvimento de processos de eletrodos de porta (TaN e TiN) para dispositivos MOS

Autor: Lima, Lucas Petersen Barbosa, 1986

Publikováno v: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP

Orientador: José Alexandre Diniz Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação Resumo: Filmes de nitreto de titânio (TiN) e nitreto de tântalo (TaN) foram depositados sobre substr

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5b6ea84186d5380a9a19cc2c1b79bc4e
https://doi.org/10.47749/t/unicamp.2011.805313

Diodo planar orgânico Schottky : construção e caracterização

Autor: Paquola, Alexandre Guidio.

Orientador: Dante Luis Chinaglia
Banca: Giovani Gozzi
Banca: Lucas Fugikawa Santos
Normalmente díodos orgânicos são feitos com uma camada polimérica semicondutora colocada entre dois eletrodos numa arquitetura tipo sanduíche. O pr

Externí odkaz: http://hdl.handle.net/11449/123745

Estudo de processo de fabricação de diodo Schottky de potencia

Autor: Souza, Pablo Rodrigo de, 1978

Publikováno v: Repositório Institucional da UnicampUniversidade Estadual de CampinasUNICAMP.

Orientadores : Jacobus Willibrordus Swart
Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação
Made available in DSpace on 2018-08-03T14:14:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Souza_Pa

Externí odkaz: http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/259029

A barreira Schottky na interface Al:nGaAs preparada por MBE

Autor: Vania Aguiar Moura

Publikováno v: Repositório Institucional da UFMG
Universidade Federal de Minas Gerais (UFMG)
instacron:UFMG

Este trabalho consiste no estudo do cráter dos estados responsáveis pela determinação da posição de EF na interface ("pinning") entre metal e o semicondutor. Para isso foram preparadas interfaces entre Al e nGaAs (100) crescidas por MBE, sendo

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3056::28adc0c91da25929272937a36dfd20a7