Improved synthesis of (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells by plasma-assisted molecular-beam epitaxy

Autor: Brandt, O, Sun, Y J, Schonherr, H P, Ploog, K H, Waltereit, P, Lim, S H, Speck, J S

Publikováno v: Brandt, O; Sun, Y J; Schonherr, H P; Ploog, K H; Waltereit, P; Lim, S H; et al.(2003). Improved synthesis of (In,Ga)N/GaN multiple quantum wells by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. Applied Physics Letters, 83(1), 90-92. UC Santa Barbara: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/7wr070fg

We present a simple strategy that minimizes the impact of surface segregation of In during the growth of (In,Ga) N/GaN multiple quantum wells by plasma-assisted molecular-beam epitaxy and simultaneously results in abrupt interfaces. The two ingredien

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______325::18e3ad37bc9bd285c972b36ae9245317
http://www.escholarship.org/uc/item/7wr070fg

Magnetic anisotropy of ultrathin epitaxial Fe films on As-terminated GaAs(001)-(2×1) surfaces.

Autor: Herfort, J., Schonherr, H.-P., Muduli, P.K., Ploog, K.H.

Publikováno v: 2003 International Symposium on Compound Semiconductors: Post-Conference Proceedings (IEEE Cat. No.03TH8767); 2003, p96-101, 6p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.