Zobrazeno 1 - 10
of 281
pro vyhledávání: '"Scholz, Ferdinand"'
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 1 June 2022 587
Autor:
Schneidereit, Martin F. *, Scholz, Ferdinand, Huber, Florian, Schieferdecker, Holger, Thonke, Klaus, Naskar, Nilanjon, Weil, Tanja, Pasquarelli, Alberto
Publikováno v:
In Sensors and Actuators: B. Chemical 15 February 2020 305
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tomić Luketić, Kristina, Karlušić, Marko, Fazinić, Stjepko, Heller, René, Akhmadaliev, Shavkat, Lebius, Henning, Benyagoub, Abdenacer, Monnet, Isabelle, Ghica, Corneliu, Šantić, Branko, Scholz, Ferdinand, Rettig, Oliver
*Corresponding author: marko.karlusic@irb.hr When a beam of swift heavy ions (SHI) impinges onto a material, the formation of defects called ion tracks is possible as a result, either in the bulk or on the surface of the material. As a consequence, e
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=57a035e5b1ae::9c564c4d9c9c15384ea235daae5fe5ee
https://www.bib.irb.hr/1096905
https://www.bib.irb.hr/1096905
Autor:
Naskar, Nilanjon, Schneidereit, Martin F., Huber, Florian, Chakrabortty, Sabyasachi, Veith, Lothar, Metzger, Markus, Kirste, Lutz, Fuchs, Theo, Diemant, Thomas, Weil, Tanja, Behm, R. Jürgen, Thonke, Klaus, Scholz, Ferdinand
The development of sensitive biosensors, such as gallium nitride (GaN)-based quantum wells, transistors, etc., often makes it necessary to functionalize GaN surfaces with small moleculesor eVen biomolecules, such as proteins. As a first step in surfa
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::1ccdec46b5970e7236239bb3984651a8
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/263707
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/263707
Autor:
Schneidereit, Martin F., Elnahal, Ahmed R., Iskander, Paulette, Cankaya, Murat, Rettig, Oliver, Scholz, Ferdinand
Herein, the optimization of (In)GaN heterostructures for chemical sensing is presented. The metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE)-grown sensor consists of an InxGa1−xN quantum well (QW) placed close to the surface of a GaN substrate with a thin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::919573a6193a51e6015f3f557b24cf13
Autor:
Hocker, Matthias, Maier, Pascal, Tischer, Ingo, Meisch, Tobias, Caliebe, Marian, Scholz, Ferdinand, Mundszinger, Manuel, Kaiser, Ute, Thonke, Klaus
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2017, Vol. 121 Issue 7, p1-7, 7p, 3 Diagrams, 2 Charts, 5 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.