Preparation of curved two-dimensional electron systems in InGaAs/GaAs-microtubes

Autor: Mendach, S ^*, Schumacher, O, Heyn, Ch, Schnüll, S, Welsch, H, Hansen, W

Publikováno v: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2004 23(3):274-279

Strain relaxation in high-mobility InAs inserted-channel heterostructures with metamorphic buffer

Autor: Mendach, S ^*, Hu, C.M, Heyn, Ch, Schnüll, S, Oepen, H.P, Anton, R, Hansen, W

Publikováno v: In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2002 13(2):1204-1207

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Role of Arsenic During Aluminum Droplet Etching of Nanoholes in AlGaAs.

Autor: Heyn C; Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Center for Hybrid Nanostructures (CHYN), Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, Hamburg, D-20355, Germany. heyn@physnet.uni-hamburg.de., Zocher M; Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Center for Hybrid Nanostructures (CHYN), Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, Hamburg, D-20355, Germany., Schnüll S; Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Center for Hybrid Nanostructures (CHYN), Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, Hamburg, D-20355, Germany., Hansen W; Institut für Nanostruktur- und Festkörperphysik, Center for Hybrid Nanostructures (CHYN), Universität Hamburg, Jungiusstraße 11, Hamburg, D-20355, Germany.

Publikováno v: Nanoscale research letters [Nanoscale Res Lett] 2016 Dec; Vol. 11 (1), pp. 428. Date of Electronic Publication: 2016 Sep 26.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.