Zobrazeno 1 - 10
of 355
pro vyhledávání: '"Schmidt, W. G."'
Autor:
Murzakhanov, F. F., Sadovnikova, M. A., Mamin, G. V., Nagalyuk, S. S., von Bardeleben, H. J., Schmidt, W. G., Biktagirov, T., Gerstmann, U., Soltamov, V. A.
The nitrogen-vacancy (NV) centers (NCVSi) - in 4H silicon carbide (SiC) constitute an ensemble of spin S = 1 solid state qubits interacting with the surrounding 14N and 29Si nuclei. As quantum applications based on a polarization transfer from the el
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.06933
Autor:
Möser, J., Popli, H., Tennahewa, T. H., Biktagirov, T., Behrends, J., Akhtar, W., Malissa, H., Boehme, C., Schmidt, W. G., Gerstmann, U., Lips, K.
Paramagnetic point defects in silicon provide qubits that could open up pathways towards silicon-technology based, low-cost, room-temperature (RT) quantum sensing. The silicon dangling bond (db) is a natural candidate, given its sub-nanometer localiz
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.16523
Autor:
Nicholson, C. W., Puppin, M., Lücke, A., Gerstmann, U., Krenz, M., Schmidt, W. G., Rettig, L., Ernstorfer, R., Wolf, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 155107 (2019)
We investigate the excited state electronic structure of the model phase transition system In/Si(111) using femtosecond time- and angle-resolved photoemission spectroscopy (trARPES) with an XUV laser source at 500 kHz . Excited state band mapping is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1812.11385
Autor:
Murzakhanov, F. F., Sadovnikova, M. A., Mamin, G. V., Nagalyuk, S. S., von Bardeleben, H. J., Schmidt, W. G., Biktagirov, T., Gerstmann, U., Soltamov, V. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/28/2023, Vol. 134 Issue 12, p1-8, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
While impurity has been known widely to affect phase transitions, the atomistic mechanisms have rarely been disclosed. We directly show in atomic scale how impurity atoms induces the condensation of a representative electronic phase, charge density w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1411.0343
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nicholson, C. W., Lücke, A., Schmidt, W. G., Puppin, M., Rettig, L., Ernstorfer, R., Wolf, M.
Publikováno v:
Science, 2018 Nov . 362(6416), 821-825.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26569333
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.