Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Dual-gate HEMT parameter extraction based on 2.5D multiport simulation of passive structures.

Autor: van Raay, Friedbert, Quay, Rudiger, Schwantuschke, Dirk, Ohlrogge, Matthias, Peschel, Detlef, Schlechtweg, Michael, Ambacher, Oliver

Publikováno v: 2016 11th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC); 2016, p241-244, 4p

Frontiers of III-V Compounds and Devices 0,1

Autor: Würfl, Joachim, Schlechtweg, Michael

Publikováno v: Würfl, Joachim ; Schlechtweg, Michael (2004) Frontiers of III-V Compounds and Devices 0,1. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2004, 11—12 Ottobre, Amsterdam.

The paper presents an overview on the European status of electronic devices for micro- and mmwave applications based on III/V compound semiconductors. Both low noise and power devices for applications from a few GHz up to several hundred GHz are cons

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0277a1390342df9b76738952d8500095
http://amsacta.unibo.it/1082/