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pro vyhledávání: '"Schichtwachstum"'
Autor:
Shkurmanov, Alexander, Sturm, Chris, Lenzner, Jörg, Feuillet, Guy, Tendille, Florian, De Mierry, Philippe, Grundmann, Marius
Publikováno v:
AIP Advances 6, 095013 (2016); doi: 10.1063/1.4963076
We report the possibility to control the tilting of nanoneedles and nanowires by using structured sapphire substrates. The advantage of the reported strategy is to obtain well oriented growth along a single direction tilted with respect to the surfac
Externí odkaz:
https://ul.qucosa.de/id/qucosa%3A14959
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A14959/attachment/ATT-0/
https://ul.qucosa.de/api/qucosa%3A14959/attachment/ATT-0/
Autor:
Reiprich, Johannes
Der Transport von Materialien und G��tern bestimmt unseren Alltag. Materialtransport passiert in globalen Logistikunternehmen, in Fertigungslinien, in allt��glichen Situationen wie dem Einkaufen und selbst in unserem menschlichen K��rper.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d7c9638c7d349eb5353971c57e47f360
Chemische Gasphasendeposition von Organo-Halogenid-Perowskiten : Technologie- und Prozessentwicklung
Autor:
Sanders, Simon
Publikováno v:
Aachen : RWTH Aachen University 1 Online-Ressource : Illustrationen, Diagramme (2021). doi:10.18154/RWTH-2021-03072 = Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2021
Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2021; Aachen : RWTH Aachen University 1 Online-Ressource : Illustrationen, Diagramme (2021). = Dissertation, Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, 2021
Organo-ha
Organo-ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::33812d04f15f133a72a865bd57df0f35
https://publications.rwth-aachen.de/record/816238
https://publications.rwth-aachen.de/record/816238
Autor:
Waechtler, Thomas, Roth, Nina, Mothes, Robert, Schulze, Steffen, Schulz, Stefan E., Gessner, Thomas, Lang, Heinrich, Hietschold, Michael
Publikováno v:
ECS Transactions, Vol. 25, No. 4, pp. 277-287 (2009); Digital Object Identifier (DOI): 10.1149/1.3205062
The atomic layer deposition (ALD) of copper oxide films from [(nBu3P)2Cu(acac)] and wet oxygen on SiO2 and TaN has been studied in detail by spectroscopic ellipsometry and atomic force microscopy. The results suggest island growth on SiO2, along with
Autor:
Franceschi, Giada
Metalloxide weisen eine extrem weite Bandbreite an physikalisch-chemischen Eigenschaften auf und spielen daher bei der Entwicklung neuer Technologien eine oft tragende Rolle. Die Oberflächen dieser Materialien sind bei jenen Anwendungen von entschei
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::203a5b977e6fa2c87dcaae4d8542d059
Autor:
Lukin, Gleb
Im Rahmen der Arbeit wurde eine neuartige Variante der Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN entwickelt, die eine hohe Flexibilität und bessere Kontrolle des Züchtungsprozesses ermöglicht. Für die Realisierung des
Externí odkaz:
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa%3A23215
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A23215/attachment/ATT-0/
https://tubaf.qucosa.de/api/qucosa%3A23215/attachment/ATT-0/
Autor:
Hofinger, Jakob
Indium(III) oxide (In2O3) is a wide bandgap semiconductor and belongs to the class of transparent conductive oxides, which combine high electrical conductivity and optical transparency in the visible region. Achieving a better understanding of the at
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d86115b94da312fd87b7d0ec8e8a600f
Autor:
Moser, Sebastian
Mittels Laserstrahlverdampfens wurde eine Reihe homoepitaktischer Schichtwachstumsexperimente von SrTiO3(110) durchgef��hrt, die durch unterschiedliche Energieflussdichten des Ablationslasers charakterisiert waren. Sowohl die sorgf��ltig pr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::17c6d912f18d2bcac1004c7d548142ad
Autor:
Lukin, Gleb
Im Rahmen der Arbeit wurde eine neuartige Variante der Hochtemperatur-Gasphasenepitaxie (HTVPE) für die Herstellung von GaN entwickelt, die eine hohe Flexibilität und bessere Kontrolle des Züchtungsprozesses ermöglicht. Für die Realisierung des
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4293::d4ce07c189ba317b59d50e4ec53fe4d0
https://tubaf.qucosa.de/id/qucosa:23215
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Autor:
Rouissi, Zied
This work presents an approach to investigate fundamental aspects concerning the early stage of the atomic layer deposition (ALD) growth process on stepped surfaces. The first interaction between precursors and surface is strongly important for the A
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3456::53497eee026816195183d138133e365f
https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/4241/Zied_Rouissi.pdf
https://opus4.kobv.de/opus4-btu/files/4241/Zied_Rouissi.pdf