Zobrazeno 1 - 10
of 36
pro vyhledávání: '"Scheen, Gilles"'
Publikováno v:
In Sensors and Actuators: A. Physical 1 February 2021 318
Autor:
Scheen, Gilles, Tuyaerts, Romain, Rack, Martin, Nyssens, Lucas, Rasson, Jonathan, Nabet, Massinissa, Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
In Solid State Electronics June 2020 168
Autor:
André, Nicolas, Rue, Bertrand, Scheen, Gilles, Flandre, Denis, Francis, Laurent A., Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: A. Physical 1 February 2014 206:67-74
Publikováno v:
In Sensors & Actuators: A. Physical October 2012 185:66-72
Autor:
Tuyaerts, Romain, van Overmeere, Quentin, Favache, A., Whyte Ferreira, Clara, Scheen, Gilles, Raskin, Jean-Pierre
In a previous study, we presented a porosification method of a heavily-doped silicon substrate in post-process CMOS fabrication to overcome the compatibility issues relative to the introduction of porous silicon into a CMOS process flow. After microe
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::0599edd2fba84c6c5b5c3b077044fea3
https://hdl.handle.net/2078.1/269511
https://hdl.handle.net/2078.1/269511
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Scheen, Gilles, Tuyaerts, Romain, Rack, Martin, Nyssens, Lucas, Rasson, Jonathan, Raskin, Jean-Pierre, IEEE International Microwave Symposium – IMS’19
The interest of porous silicon (PSi) for RF applications has been widely demonstrated in many previous works. In most of them, PSi is integrated into the substrate during its fabrication (PRE-PSi) prior to a standard process (e.g. CMOS). Such PRE-PSi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::a1d2b6faab6c2b396175dba25ff1e5fc
https://hdl.handle.net/2078.1/220450
https://hdl.handle.net/2078.1/220450
Autor:
Belaroussi, Y., Rack, Martin, Saadi, A. A., Scheen, Gilles, Belaroussi, M. T., Trabelsi, M. T., Raskin, Jean-Pierre
Publikováno v:
Solid-State Electronics, Vol. 135, p. 78-84 (2017)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::e9fa2bb8ae75e63d582f8823ad4b509d
https://hdl.handle.net/2078.1/238212
https://hdl.handle.net/2078.1/238212
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Scheen, Gilles
Porous silicon has a particularly large surface area available in a limited volume, tens or hundreds of square meters in a cubic centimeter. This attractive property is used to concentrate a large number of surface reactions (such as physico-chemical
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1493::129018cdd10d83eb2d7c474171680e55
https://hdl.handle.net/2078.1/165078
https://hdl.handle.net/2078.1/165078