Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Schaffler, Friedrich"'
We investigate the initial stage of the 2D-3D transition of strained Ge layers deposited on pit-patterned Si(001) templates. Within the pits, which assume the shape of inverted, truncated pyramids after optimized growth of a Si buffer layer, the Ge w
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0602175
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering C 2006 26(5):795-799
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2015 IEEE Symposium on Computer Applications & Industrial Electronics (ISCAIE); 2015, p39-40, 2p