Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Schaefer, Christian M"'
Autor:
Chi, Zeyu, Sartel, Corinne, Zheng, Yunlin, Modak, Sushrut, Chernyak, Leonid, Schaefer, Christian M, Padilla, Jessica, Santiso, Jose, Ruzin, Arie, Goncalves, Anne-Marie, von Bardeleben, Jurgen, Guillot, Gerard, Dumont, Yves, Perez-Tomas, Amador, Chikoidze, Ekaterine
The room temperature hole conductivity of the ultra wide bandgap semiconductor beta Ga2O3 is a pre-requisite for developing the next-generation electronic and optoelectronic devices based on this oxide. In this work, high-quality p-type beta-Ga2O3 th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.01115
Autor:
Chi, Zeyu, Sartel, Corinne, Zheng, Yunlin, Modak, Sushrut, Chernyak, Leonid, Schaefer, Christian M., Padilla, Jessica, Santiso, Jose, Ruzin, Arie, Gonçalves, Anne-Marie, von Bardeleben, Jurgen, Guillot, Gérard, Dumont, Yves, Pérez-Tomás, Amador, Chikoidze, Ekaterine
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 25 December 2023 969
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schaefer, Christian M., Caicedo Roque, José M., Sauthier, Guillaume, Bousquet, Jessica, Hébert, Clément, Sperling, Justin R., Pérez-Tomás, Amador, Santiso, José, del Corro, Elena, Garrido, Jose A.
Publikováno v:
Chemistry of Materials; 20210101, Issue: Preprints
Autor:
Schaefer, Christian Michael.
Univ., Diss., 2010--Marburg.
Externí odkaz:
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2010/0058