Zobrazeno 1 - 10
of 101
pro vyhledávání: '"Schöche, S."'
Autor:
Schubert, M., Korlacki, R., Knight, S., Hofmann, T., Schöche, S., Darakchieva, V., Janzén, E., Monemar, B., Gogova, D., Thieu, Q. -T., Togashi, R., Murakami, H., Kumagai, Y., Goto, K., Kuramata, A., Yamakoshi, S., Higashiwaki, M.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 93, 125209 (1-18) (2016)
We derive a dielectric function tensor model approach to render the optical response of monoclinic and triclinic symmetry materials with multiple uncoupled infrared and farinfrared active modes. We apply our model approach to monoclinic $\beta$-Ga$_2
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.08590
Autor:
Schöche, S., Hofmann, T., Nilsson, D., Kakanakova-Georgieva, A., Janzên, E., Kühne, P., Lorenz, K., Schubert, M., Darakchieva, V.
The phonon mode parameters and anisotropic mid-infrared dielectric function tensor components of high- Al-content Al$_x$Ga$_{1-x}$N alloys in dependence of the Al content $x$ are precisely determined from mid-infrared spectroscopic ellipsometry measu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1512.01427
Autor:
Knight, S., Schöche, S., Darakchieva, V., Kühne, P., Carlin, J. -F., Grandjean, N., Herzinger, C. M., Schubert, M., Hofmann, T.
Publikováno v:
Opt. Lett. 40, 2688 (2015)
The effect of a tunable, externally coupled Fabry-P\'{e}rot cavity to resonantly enhance the optical Hall effect signatures at terahertz frequencies produced by a traditional Drude-like two-dimensional electron gas is shown and discussed in this comm
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1504.00705
Autor:
Schöche, S., Hofmann, T., Darakchieva, V., Wang, X., Yoshikawa, A., Wang, K., Araki, T., Nanishi, Y., Schubert, M.
Infrared spectroscopic ellipsometry is applied to investigate the free-charge carrier properties of Mg-doped InN films. Two representative sets of In-polar InN grown by molecular beam epitaxy with Mg concentrations ranging from $1.2\times10^{17}$ cm$
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1311.3688
Autor:
Schöche, S., Kühne, P., Hofmann, T., Schubert, M., Nilsson, D., Kakanakova-Georgieva, A., Janzén, E., Darakchieva, V.
The effective electron mass parameter in Si-doped Al$_{0.72}$Ga$_{0.28}$N is determined to be $m^\ast=(0.336\pm0.020)\,m_0$ from mid-infrared optical Hall effect measurements. No significant anisotropy of the effective electron mass parameter is foun
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1311.3684
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Schöche, S., Hofmann, T., Darakchieva, V., Wang, X., Yoshikawa, A., Wang, K., Araki, T., Nanishi, Y., Schubert, M.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 28 November 2014 571 Part 3:384-388
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/21/2020, Vol. 127 Issue 11, p1-18, 18p, 4 Diagrams, 6 Charts, 6 Graphs
Autor:
Böntgen, T., Schöche, S., Schmidt-Grund, R., Sturm, C., Brandt, M., Hochmuth, H., Lorenz, M., Grundmann, M.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 28 February 2011 519(9):2933-2935
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.