Zobrazeno 1 - 10
of 43
pro vyhledávání: '"Scarrozza M"'
Defect density reduction of the Al 2O 3/GaAs(001) interface by using H 2S molecular beam passivation
Autor:
Merckling, C., Chang, Y.C., Lu, C.Y., Penaud, J., Brammertz, G., Scarrozza, M., Pourtois, G., Kwo, J., Hong, M., Dekoster, J., Meuris, M., Heyns, M., Caymax, M.
Publikováno v:
In Surface Science June 2011
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2009 86(7):1747-1750
Publikováno v:
In Surface Science 1 January 2009 603(1):203-208
Autor:
Merckling, C., Penaud, J., Bellenger, F., Kohen, D., Pourtois, G., Brammertz, G., Scarrozza, M., El-Kazzi, M., Houssa, M., Dekoster, J., Caymax, M., Meuris, M., Heyns, M. M.
Publikováno v:
MRS Online Proceedings Library; 2009, Vol. 1155 Issue 1, p1-6, 6p
Autor:
Heyns, M., Adelmann, C., Brammertz, G., Brunco, D., Caymax, M., De Jaeger, B., Delabie, A., Eneman, G., Houssa, M., Lin, D., Martens, K., Merckling, C., Meuris, M., Mittard, J., Penaud, J., Pourtois, G., Scarrozza, M., Simoen, E., Sioncke, S., Wei-E Wang
Publikováno v:
2009 10th International Conference on Ultimate Integration of Silicon; 2009, p83-86, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 12/21/2009, Vol. 95 Issue 25, p253504, 3p, 1 Diagram, 2 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.