Zobrazeno 1 - 10
of 3 481
pro vyhledávání: '"Scanning capacitance microscopy"'
Autor:
Gainutdinov, R. V.1, Tolstikhina, A. L.1 alla@crys.ras.ru, Belugina, N. V.1, Roshchin, B. S.1, Zolotov, D. A.1, Asadchikov, V. E.1, Shut, V. N.2, Kashevich, I. F.3, Mozzharov, S. E.2
Publikováno v:
Crystallography Reports. Sep2018, Vol. 63 Issue 5, p784-790. 7p.
Autor:
Choi, F. S.1, Griffiths, J. T.1, Ren, Chris1, Guiney, I.1, Humphreys, C. J.1, Oliver, R. A.1, Wallis, D. J.1,2, Lee, K. B.3, Zaidi, Z. H.3, Houston, P. A.3
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 2018, Vol. 124 Issue 5, p1-7. 7p. 2 Color Photographs, 3 Diagrams, 4 Graphs.
Autor:
Dixon-Warren, St. J.1, Drevniok, B.1 sdixonwarren@techinsights.com
Publikováno v:
Electronic Device Failure Analysis. Aug2017, Vol. 19 Issue 3, p22-27. 6p.
Publikováno v:
Nanomaterials, Vol 14, Iss 11, p 934 (2024)
This study developed a DC-free technique that used dark-mode scanning capacitance microscopy (DM-SCM) with a small-area contact electrode to evaluate and image equivalent oxide thicknesses (EOTs). In contrast to the conventional capacitance–voltage
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/535c325299de450a9a4df455708e0e6e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Applied Sciences, Vol 12, Iss 23, p 11979 (2022)
Recently, great advances had been made by using scanning probe microscopy (SPM) to quantify the relative permittivity of thin film materials on a nanometer scale. The imaging techniques of permittivity for thin film materials with SPM, especially for
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/79184fa8f9bb4fa88bf43a227603df17
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, C.Q.1 Changqing.chen@globalfoundries.com, Ang, G.B.1, Ng, P.T.1, Rivai, Francis1, Neo, S.P.1, Nagalingam, D.1, Yip, K.H.1, Lam, Jeffery1, Mai, Z.H.1
Publikováno v:
Microelectronics Reliability. Sep2017, Vol. 76, p141-144. 4p.