Zobrazeno 1 - 10
of 94
pro vyhledávání: '"Scanlon, D. O."'
Autor:
Antonelli, T., Rahim, W., Watson, M. D., Rajan, A., Clark, O. J., Danilenko, A., Underwood, K., Markovic, I., Abarca-Morales, E., Kavanagh, S. R., Fevre, P., Bertran, F., Rossnagel, K., Scanlon, D. O., King, P. D. C.
Publikováno v:
npj Quantum Mater. 7, 98 (2022)
An anomalous $(2\times2)$ charge density wave (CDW) phase emerges in monolayer 1T-TiTe$_2$ which is absent for the bulk compound, and whose origin is still poorly understood. Here, we investigate the electronic band structure evolution across the CDW
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2203.15560
Publikováno v:
Phys. Rev. B 100, 035207 (2019)
The presence of defects in the narrow-gap semiconductors GaSb and InSb affects their dopability and hence applicability for a range of optoelectronic applications. Here, we report hybrid density functional theory based calculations of the properties
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.13063
Autor:
Biswas, D., Ganose, A. M., Yano, R., Riley, J. M., Bawden, L., Clark, O. J., Feng, J., Collins-Mcintyre, L., Meevasana, W., Kim, T. K., Hoesch, M., Rault, J. E., Sasagawa, T., Scanlon, D. O., King, P. D. C.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 96, 085205 (2017)
We have used angle resolved photoemission spectroscopy to investigate the band structure of ReS$_2$, a transition-metal dichalcogenide semiconductor with a distorted 1T crystal structure. We find a large number of narrow valence bands, which we attri
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.04725
Autor:
Hiley, C. I., Scanlon, D. O., Sokol, A. A., Woodley, S. M., Ganose, A. M., Sangiao, S., De Teresa, J. M., Manuel, P., Khalyavin, D. D., Walker, M., Lees, M. R., Walton, R. I.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 92, 104413 (2015)
We report an experimental and computational study of magnetic and electronic properties of the layered Ru(V) oxide SrRu2O6 (hexagonal, P-3 1m), which shows antiferromagnetic order with a N\'eel temperature of 563(2) K, among the highest for 4d oxides
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1508.03609
Autor:
Buckeridge, J., Catlow, C. R. A., Scanlon, D. O., Keal, T. W., Sherwood, P., Miskufova, M., Walsh, A., Woodley, S. M., Sokol, A. A.
We report accurate energetics of defects introduced in GaN on doping with divalent metals, focussing on the technologically important case of Mg doping, using a model which takes into consideration both the effect of hole localisation and dipolar pol
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1412.1694
Autor:
Scanlon, D. O., King, P. D. C., Singh, R. P., de la Torre, A., Walker, S. McKeown, Balakrishnan, G., Baumberger, F., Catlow, C. R. A.
Publikováno v:
Advanced Materials, vol. 24, iss. 16, pp 2154-2158 (2012)
The binary Bi-chalchogenides, Bi2Ch3, are widely regarded as model examples of a recently discovered new form of quantum matter, the three-dimensional topological insulator (TI) [1-4]. These compounds host a single spin-helical surface state which is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1204.4063
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hyde, P. A., Cen, J., Cassidy, S. J., Rees, N. H., Holdship, P., Smith, R. I., Zhu, B., Scanlon, D. O., Clarke, S. J.
Publikováno v:
Inorganic Chemistry; 7/31/2023, Vol. 62 Issue 30, p12027-12037, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.