Zobrazeno 1 - 10
of 54
pro vyhledávání: '"Saxena, Himanshu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Khan, Mohammad Atif, Rahman, Abdur, Sahoo, Deepika, Saxena, Himanshu, Singh, Arvind, Kumar, Sanjeev
Publikováno v:
In Regional Studies in Marine Science May 2022 52
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sahoo, Deepika, Saxena, Himanshu, Tripathi, Nidhi, Khan, Mohammad Atif, Rahman, Abdur, Kumar, Sanjeev, Sudheer, A. K., Singh, Arvind
Publikováno v:
Marine Ecology Progress Series, 2020 Oct . 653, 41-55.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26988324
Autor:
Saxena, Himanshu.
Thesis (Ph.D.)--University of Central Florida, 2009.
Adviser: Robert E. Peale. Includes bibliographical references (p. 50-56).
Adviser: Robert E. Peale. Includes bibliographical references (p. 50-56).
Externí odkaz:
http://purl.fcla.edu/fcla/etd/CFE0002912
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sahoo, Deepika1,2 (AUTHOR), Saxena, Himanshu1,2 (AUTHOR), Nazirahmed, Sipai1 (AUTHOR), Kumar, Sanjeev1 (AUTHOR), Sudheer, A. K.1 (AUTHOR), Bhushan, Ravi1 (AUTHOR), Sahay, Arvind3 (AUTHOR), Singh, Arvind1 (AUTHOR) arvinds@prl.res.in
Publikováno v:
Biogeochemistry. Sep2021, Vol. 155 Issue 3, p413-429. 17p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Saxena, Himanshu
Publikováno v:
Electronic Theses and Dissertations.
The observation of voltage-tunable plasmon resonances in the terahertz range in two dimensional electron gas (2-deg) of a high electron mobility transistor (HEMT) fabricated from the InGaAs/InP and AlGaN/GaN materials systems is reported. The devices
Externí odkaz:
https://stars.library.ucf.edu/etd/3943
https://stars.library.ucf.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=4943&context=etd
https://stars.library.ucf.edu/cgi/viewcontent.cgi?article=4943&context=etd