Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Saurov, M. A."'
Autor:
null Rudakov G. A., null Orlov A. P., null Svetukhin V. V., null Saurov M. A., null Lakalin A. V., null Kitsyuk E. P., null Bulyarskiy S. V.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:337
In this work, a study was made of the influence of silicon diode manufacturing technology on the emergence of generation and recombination centers. The electrical characteristics of p-n junctions formed in different ways on n-type silicon substrates
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41e0da499930892972ca56e5b3600732
https://doi.org/10.21883/sc.2022.05.53431.9807
https://doi.org/10.21883/sc.2022.05.53431.9807
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Semiconductors; 2021, Vol. 55 Issue 1, p86-91, 6p
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Mar2020, Vol. 49 Issue 2, p103-107, 5p
Autor:
Buldakov, L. A., Demin, S. N., Kosenko, M. M., Kostiuchenko, V. A., Nina Koshurnikova, Krestinina, L. I., Saurov, M. M., Ternovskiǐ, I. A., Tokarskaia, Z. B., Shvedov, Z. B.
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::6aa71f7a0d10fc6b01bee233b8f73c2c
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0025532528&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0025532528&partnerID=MN8TOARS
