Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Satoshi Ibori"'
Autor:
Yasushi Sasaki, Natsuki Yokoyama, Hisao Inomata, Tetsuo Iijima, Atsushi Fujiki, Hiroyoshi Kobayashi, Satoshi Ibori, Kiyotaka Tomiyama, Haruka Shimizu, Satoru Akiyama
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD).
The SiC JFET/Si MOSFET cascode is an attractive alternative to conventional Si MOSFETs or IGBTs due to its low on-resistance and good switching performance. However, dv/dt control without increased switching loss is difficult when using a conventiona
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ad93d2f960c6a8363199598420b2ab57
https://doi.org/10.1109/ispsd.2014.6856016
https://doi.org/10.1109/ispsd.2014.6856016
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.