Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Satoru Takatsuka"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 37:2089-2096
A radiation-hardened CMOS sea-of-gates technology with 1.0- mu m geometry is developed which is fully compatible with commercial technologies. Total-dose and postirradiation effects are investigated in detail on transistors and circuits designed on a
Radiation-Tolerant 50MHz Bulk CMOS VLSI Circuits Utilizing Radiation-Hard Structure Nmos Transistors
Autor:
Satoru Takatsuka, Hiroshi Hatano
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 33:1126-1130
A radiation-tolerant, high-speed, bulk CMOS VLSI circuit design, utilizing a new NMOS structure, has been investigated, based on ?-ray irradiation experimental results for 2?m shift registers. By utilizing 60-bit clocked gate and transfer gate static
Autor:
Hiroshi Hatano, Satoru Takatsuka
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 33:1505-1509
In order to design radiation-tolerant CMOS VLSI circuits, six different radiation-hardened structures including SOS, have been investigated utilizing 4-bit clocked CMOS static shift registers with a 5 V supply voltage. Packing density has been compar
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.