Zobrazeno 1 - 10 of 55 pro vyhledávání: '"Sardela, M. R."'
1
Akademický článek
Surface properties and crystallinity of Pinus taeda and Hymenaea stilbocarpa treated at low temperatures in different grain directions.
Autor: dos Santos, S. N. C., de Almeida, T. H., Sardela, M. R., Lahr, F. A. R., Gonçalves, D.
Publikováno v: Journal of the Indian Academy of Wood Science; Jun2020, Vol. 17 Issue 1, p46-53, 8p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Characterization of highly Sb-doped Si using high-resolution x-ray diffraction and transmission electron microscopy.
Autor: Radamson, H. H., Sardela, M. R., Hultman, L., Hansson, G. V.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1994, Vol. 76 Issue 2, p763, 5p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
B-doped fully strained Si1-xGex layers grown on Si(001) by gas-source molecular beam epitaxy from Si2H6, Ge2H6, and B2H6: Charge transport properties.
Autor: Lu, Q., Sardela, M. R., Bramblett, T. R., Greene, J. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1996, Vol. 80 Issue 8, p4458, 9p, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Growth, microstructure, and strain relaxation in low-temperature epitaxial Si1-xGex alloys deposited on Si(001) from hyperthermal beams.
Autor: Lee, N.-E., Matsuoka, M., Sardela, M. R., Tian, F., Greene, J. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1996, Vol. 80 Issue 2, p812, 10p, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 9 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
CoSi2/Si1-xGex/Si(001) heterostructures formed through different reaction routes: Silicidation-induced strain relaxation, defect formation, and interlayer diffusion.
Autor: Nur, O., Willander, M., Hultman, L., Radamson, H. H., Hansson, G. V., Sardela, M. R., Greene, J. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1995, Vol. 78 Issue 12, p7063, 7p, 4 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Strain determination and microstructural characterization of 50 keV Sn-ion-implanted Si(001).
Autor: Sardela, M. R., Turan, R., Willander, M., Hansson, G. V., Hultman, L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1995, Vol. 77 Issue 4, p1411, 10p, 4 Diagrams, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Thermal relaxation kinetics of strained Si/Si1-xGex heterostructures determined by direct measurement of mosaicity and lattice parameter variations.
Autor: Sardela, M. R., Hansson, G. V.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part A-Vacuums, Surfaces & Films; 1995, Vol. 13 Issue 2, p314-326, 13p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Electrical and structural characterization of PtSi/p-Si1-xGex low Schottky barrier junctions prepared by co-sputtering.
Autor: Nur, O., Willander, M., Turan, R., Sardela, M. R., Radamson, H. H., Hansson, G. V.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1997, Vol. 15 Issue 2, p241-246, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje