Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Features of liquid-phase epitaxy of new solid solutions of (GaAs)1−y−z(Ge2)y(ZnSe)z and their photoelectric properties.

Autor: Saidov, A. S., Saparov, D. V., Usmonov, Sh. N., Razzakov, A. Sh., Kalanov, M.

Publikováno v: International Journal of Modern Physics B: Condensed Matter Physics; Statistical Physics; Applied Physics; 6/10/2023, Vol. 37 Issue 14, p1-9, 9p

Investigation of the Crystallographic Perfection and Photoluminescence Spectrum of the Epitaxial Films of (Si2)1-x(GaP)x0≤x≤1 Solid Solution, Grown on Si and GaP Substrates with the Crystallographic Orientation (111)

Autor: Saidov, A. S., Saparov, D. V., Usmonov, Sh.N., Kutlimratov, A., Abdiev, J.M., Kalanov, M., Razzakov, A.Sh., Akhmedov, A.M.

Publikováno v: Advances in Condensed Matter Physics, Vol 2021 (2021)

Epitaxial layers of the solid solution of molecular substitution (Si2)1-x(GaP)x (0 ≤ x ≤ 1) on Si (111) and GaP (111) substrates are grown by liquid-phase epitaxy from an Sn solution-melt. Such graded-gap solid solutions allow the integration of

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::e0dbab759fc0eeb776dc76daac1b5fa2
https://doaj.org/article/fbed6f6a076048809776262370a5f41c

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.