Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Sang Woo Pae"'
Autor:
Gun Rae Kim, Hyun-chul Sagong, Woo-kyum Lee, June-Kyun Park, Sang-woo Pae, Jong-woo Park, Byoung-deog Choi
Publikováno v:
ECS Meeting Abstracts. :836-836
Deuterium annealing has been widely used to help improve hot carrier injection (HCI) reliability of CMOS devices[1]. With introduction of high-k, and especially the gate-last metal gate processes, which decouples the high temperature annealing proces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26d4c96c37f0556f5f74bd6076283a83
https://doi.org/10.1149/ma2015-02/18/836
https://doi.org/10.1149/ma2015-02/18/836
Publikováno v:
ACM Great Lakes Symposium on VLSI
Reported here is the vertical integration of submicron P-MOSFETs in two separate layers of SOI device islands fabricated using the selective epitaxial growth and epitaxial lateral overgrowth of silicon (SEG/ELO). The fabrication technique has the pot
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::29d6ba1f3c938e8d674287507a22910e
https://doi.org/10.1145/368122.368897
https://doi.org/10.1145/368122.368897
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.