Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Sanduijav B"'
Publikováno v:
Nanoscale Research Letters, Vol 5, Iss 12, Pp 1935-1941 (2010)
Abstract Si and Ge growth on the stripe-patterned Si (001) substrates is studied using in situ reflection high-energy electron diffraction (RHEED) and scanning tunneling microscopy (STM). During Si buffer growth, the evolution of RHEED patterns revea
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b092a6f6c9074a128376a55b062c2c7e
Publikováno v:
In Applied Surface Science 2011 257(24):10465-10470
Publikováno v:
In Journal of Crystal Growth 2009 311(7):2220-2223
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2008 517(1):293-296
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chen, G., Vastola, G., Zhang, J. J., Sanduijav, B., Springholz, G., Jantsch, W., Schäffler, F.
Publikováno v:
Applied Physics Letters; 1/10/2011, Vol. 98 Issue 2, p023104, 3p, 3 Graphs
Autor:
Leo Miglio, Gunther Springholz, Matthew J. Beck, B. Sanduijav, Daniele Scopece, Francesco Montalenti, D. Matei, Gang Chen
Publikováno v:
Physical Review Letters. 108
Ge growth on high-indexed Si (1110) is shown to result in the spontaneous formation of a perfectly {105} faceted one-dimensional nanoripple structure. This evolution differs from the usual Stranski-Krastanow growth mode because from initial ripple se
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::00258df550bf0009d4261778f13b68f3
https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.055503
https://doi.org/10.1103/physrevlett.108.055503