Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Samm, J."'
Publikováno v:
J. Appl. Phys.115, 174309 (2014)
We report an improved fabrication scheme for carbon based nanospintronic devices and demonstrate the necessity for a careful data analysis to investigate the fundamental physical mechanisms leading to magnetoresistance. The processing with a low-dens
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1312.0159
Autor:
Yang, T. -Y., Balakrishnan, J., Volmer, F., Avsar, A., Jaiswal, M., Samm, J., Ali, S. R., Pachoud, A., Zeng, M., Popinciuc, M., Güntherodt, G., Beschoten, B., Özyilmaz, B.
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett. 107, 047206 (2011)
We report on the first systematic study of spin transport in bilayer graphene (BLG) as a function of mobility, minimum conductivity, charge density and temperature. The spin relaxation time $\tau_s$ scales inversely with the mobility $\mu$ of BLG sam
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.1156
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 115 Issue 17, p174309-1-174309-7, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
British Heart Journal; Oct1973, Vol. 35 Issue 10, p1055-1061, 7p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.