Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"Salh, R."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Matoussi, A., Ben Nasr, F., Boufaden, T., Salh, R., Fakhfakh, Z., Guermazi, S., ElJani, B., Fitting, H.-J.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2010 130(3):399-403
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (A) 204(2007)9, 3132-3144
Scanning electron microscopy (SEM) and cathodoluminescence (CL) in combination with scanning transmission electron microscopy (STEM) have been used to investigate thermally grown amorphous silicon dioxide layers implanted isoelectronically with group
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::d22975c47acd5e2a949a6d6c82774772
https://www.hzdr.de/publications/Publ-10258-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-10258-1
Publikováno v:
Journal of Luminescence 122(2007)SI JAN-APR, 743-746
Thermally oxidized SiO2 layers of 100 and 500 nm thickness have been implanted by oxygen and sulfur ions with a dose of 3x1016 and 5x1016 ions/cm2, respectively, leading to an atomic dopant fraction of about 4 at.% at the half depth of the SiO2 layer
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::9baf9c994f30b58c004fb3bed98c2759
https://www.hzdr.de/publications/Publ-9360-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-9360-1
Publikováno v:
Physica Status Solidi (A) 202(2005)5, R53-R55
Thermally wet oxidized SiO2 layers of 500 nm thickness have been implanted by sulfur ions of energy 150 keV and a dose 5 x 10(16) ions/cm(2) leading to an atomic dopant fraction of 4 at% at a mean depth of 190 nm. The cathodoluminescence spectra of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::434b3d801ed0305e9b3d94eccd6d052d
https://www.hzdr.de/publications/Publ-7636-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-7636-1
Autor:
Matoussi, A., Ben Nasr, F., Salh, R., Boufaden, T., Guermazi, S., Fitting, H.-J., Eljani, B., Fakhfakh, Z.
Publikováno v:
In Materials Letters 15 February 2008 62(3):515-519
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.