Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Organic field effect transistor OFET optimization considering volume channel conduction mechanism

Autor: Pons, Patrick, Ravariu, Cristian, Dragomirescu, Daniela, Babarada, Florin, Prelipceanu, Dan, Patrichi, Bogdan, Gorciu, Cristina, Manuc, Daniela, Salageanu, Aurora

Publikováno v: International Semiconductor Conference (CAS 2015)
International Semiconductor Conference (CAS 2015), Oct 2015, Sinaia, Romania. pp.113-116, ⟨10.1109/SMICND.2015.7355179⟩

International audience; The main contribution of this paper is to highlight a new work regime of an optimised organic field effect transistor (OFET) respectively volume channel mode. If the device comprises a vertical n + p junction on insulator, the

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a5e9260468b0cbe109cc39b745d1a8ed
https://hal.laas.fr/hal-02083175

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.