Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Sakong, Wonkil"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tran, Thi Uyen, Bahng, Jaeuk, Dang, Xuan Dang, Oh, Suar, Duong, Hai Phuong, Kang, Seung Su, Yu, Hyang Mi, Sakong, Wonkil, Kim, Minjeong, Choi, Hyung-Seok, Baik, Jaeyoon, Jeong, Mun Seok, Lim, Seong Chu
Publikováno v:
In Nano Energy November 2022 102
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Seong Chu Lim, Min-Kyu Joo, Sakong Wonkil, Huong Thi Thanh Nguyen, Hyunjin Ji, Hojoon Yi, Hyun You Kim
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 40:1626-1629
We investigated device properties before and after heat treatment for a hetero-stacked two-dimensional field-effect transistor (FET). In dual-gated monolayer MoS2 FET using a top h-BN layer and bottom SiO2 substrate, careful but harsh heat treatment
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::90c14ad7f537053cf3894094c5871a5f
https://doi.org/10.1109/led.2019.2936233
https://doi.org/10.1109/led.2019.2936233
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Nanotechnology. 30(34)
Compared to the silicon device whose performance is severely degraded due to the pin-holes and channel inactive space when the channel thickness is less than 1 nm, despite monolayer transition-metal dichalcogenides being the most stable structure to
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::acbbe83b799beaba12f4b102bb81bff2
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31051484
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/31051484
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ji, Hyunjin, Ghimire, Mohan Kumar, Lee, Gwanmu, Yi, Hojoon, Sakong, Wonkil, Gul, Hamza Zad, Yun, Yoojoo, Jiang, Jinbao, Kim, Joonggyu, Joo, Min-Kyu, Suh, Dongseok, Lim, Seong Chu
Publikováno v:
ACS Applied Materials & Interfaces; 8/14/2019, Vol. 11 Issue 32, p29022-29028, 7p