Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Sakano, Junichi"'
Autor:
Sakano, Junichi1, Furukawa, Seijiro1
Publikováno v:
Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics. May94, Vol. 77 Issue 5, p47-56. 10p.
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. :1113-1115
The preamorphization by Ge+ implantation into Si has been studied to show its effectiveness for obtaining shallow p+/n junctions. However, it is found that the stress caused by heavy doping of B deteriorates the crystalline quality and the activation
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d205b419a4b413c4579d5b47959a83ef
https://doi.org/10.1016/0168-583x(91)95777-b
https://doi.org/10.1016/0168-583x(91)95777-b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hara, Kenji, Wada, Shinichiro, Sakano, Junichi, Oda, Tetsuo, Sakurai, Kenji, Yamashita, Hiroki, Utsumi, Tomoyuki
Publikováno v:
2014 IEEE 26th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2014, p418-421, 4p
Publikováno v:
2013 25th International Symposium on Power Semiconductor Devices & IC's (ISPSD); 2013, p343-346, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; December 1993, Vol. 32 Issue: 12 p6163-6163, 1p