Zobrazeno 1 - 10
of 487
pro vyhledávání: '"Sakalas, P."'
Autor:
KRIŠTOPAITĖ, Danutė
Publikováno v:
Folk Culture; 2008, Vol. 121 Issue 4, p59-65, 7p, 11 Black and White Photographs
Autor:
Mavredakis, Nikolaos, Pacheco-Sanchez, Anibal, Sakalas, Paulius, Wei, Wei, Pallecchi, Emiliano, Happy, Henri, Jimenez, David
In this article, the bias-dependence of intrinsic channel thermal noise of single-layer graphene field-effect transistors (GFETs) is thoroughly investigated by experimental observations and compact modeling. The findings indicate an increase of the s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2104.11518
Autor:
Thomas Zimmer, Josef Bock, Fred Buchali, Pascal Chevalier, Michael Collisi, Bjorn Debaillie, Marina Deng, Philippe Ferrari, Sebastien Fregonese, Christophe Gaquiere, Haitham Ghanem, Horst Hettrich, Alper Karakuzulu, Tim Maiwald, Marc Margalef-Rovira, Caroline Maye, Michael Moller, Anindya Mukherjee, Holger Rucker, Paulius Sakalas, Rolf Schmid, Karina Disch, Karsten Schuh, Wolfgang Templ, Akshay Visweswaran, Thomas Zwick
Publikováno v:
IEEE Journal of Microwaves, Vol 1, Iss 1, Pp 288-298 (2021)
This paper gives an overall picture from BiCMOS technologies up to THz systems integration, which were developed in the European Research project TARANTO. The European high performance BiCMOS technology platforms are presented, which have special adv
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3bc0679a9ae0498f94cba80626998dd3
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 7, Iss 2, Pp 175-183 (2021)
The dc and ac performance of advanced SiGe:C heterojunction bipolar transistors (HBTs) featuring transit frequency ( $f_{\text {T}}$ ) and maximum oscillation frequency ( $f_{\text {max}}$ ) of 300 and 500 GHz was characterized from 298 K down to 4.3
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b63d572dc76347d785ed895df8073388
Publikováno v:
IEEE Journal on Exploratory Solid-State Computational Devices and Circuits, Vol 7, Iss 2, Pp 209-217 (2021)
The theory, design, and implementation of emitter-coupled logic (ECL)-based voltage-controlled ring oscillators (R-VCOs) operating at X- and $\text{K}_{\text {u}}$ -bands for cryogenic applications are presented. Five- and seven-stage R-VCOs were fab
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d0b36520e8f4446ca1956c4c3352e23e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 1, Iss 1, Pp 9-20 (2013)
Carbon-based electronics is an emerging field. Its present progress is largely dominated by the materials science community due to the many still existing materials-related obstacles for realizing practically competitive transistors. Compared to grap
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/da759d5acfb849b6ab31dbc42dd85192
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.