Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"Sai S. Krishna"'
Autor:
Deivasigamani Ravi, Sheu Gene, Aryadeep Chirag, Sai S. Krishna, Selvendran S., Yang Shao-Ming
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 02005 (2018)
In this paper, a novel 120V multiple RESURF lateral double-diffused MOS (LDMOS) transistor with shallow trench isolation (STI) structure in low side is developed and successfully simulated. The proposed multiple RESURF LDMOS is able to achieve better
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8dc0bd3c66544392af76d2e540a6186c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Deivasigamani, R., Sheu, Gene, Yang, Shao Ming, Sai, S. Krishna, Selvendran, S., Aryadeep, Chirag, Chen, Po-An
Publikováno v:
2016 e-Manufacturing & Design Collaboration Symposium (eMDC); 2016, p1-4, 4p
Autor:
Wang, Cheng-Chi, Deivasigamani, Ravi, Sheu, Gene, Aryadeep, Chirag, Sai, S. Krishna, Selvendran, S., Yang, Shao-Ming
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences; 8/21/2018, Vol. 201, pN.PAG-N.PAG, 3p
Publikováno v:
Clinical Anatomy; 1992, Vol. 5 Issue 3, p237-248, 12p