Zobrazeno 1 - 10
of 317
pro vyhledávání: '"Sahatiya P"'
Autor:
Gowtham Polumati, Chandra Sekhar Reddy Kolli, Aayush Kumar, Mario Flores Salazar, Andres De Luna Bugallo, Parikshit Sahatiya
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 14, Iss 1, Pp 1-11 (2024)
Abstract This study investigates vertically stacked CVD grown ReS2/MoS2 unipolar heterostructure device as Field Effect Transistor (FET) device wherein ReS2 on top acts as drain and MoS2 at bottom acts as source. The electrical measurements of ReS2/M
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bd1bcbbd739849e18a61dd0d7537ee45
Publikováno v:
PLoS ONE, Vol 19, Iss 4, p e0297825 (2024)
This study demonstrates the effect of nitrogen doping on the surface state densities (Nss) of monolayer MoS2 and its effect on the responsivity and the response time of the photodetector. Our experimental results shows that by doping monolayer MoS2 b
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/18ef1b0adf1741fe81b64cb5923deed2
Autor:
Soumi Saha, Madadi Chetan Kodand Reddy, Tati Sai Nikhil, Kaushik Burugupally, Sanghamitra DebRoy, Akshay Salimath, Venkat Mattela, Surya Shankar Dan, Parikshit Sahatiya
Publikováno v:
Chip, Vol 2, Iss 4, Pp 100075- (2023)
This paper demonstrated the fabrication, characterization, data-driven modeling, and practical application of a 1D SnO2 nanofiber-based memristor, in which a 1D SnO2 active layer was sandwiched between silver (Ag) and aluminum (Al) electrodes. This d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cf85e51ab95a4a38815caca28e88513c
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
npj 2D Materials and Applications, Vol 6, Iss 1, Pp 1-29 (2022)
Abstract The continuously intensifying demand for high-performance and miniaturized semiconductor devices has pushed the aggressive downscaling of field-effect transistors (FETs) design. However, the detrimental short-channel effects and the fundamen
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d09546f7881843e2aed05c148fed91a3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.