Zobrazeno 1 - 10
of 246
pro vyhledávání: '"Saha, Chinmoy"'
Autor:
Saha, Chinmoy Nath, Vaidya, Abhishek, Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, Meng, Lingyu, Zhao, Hongping, Singisetti, Uttam
This letter reports a highly scaled 90 nm gate length beta-Ga2O3 T-gate MOSFET with no current collapse and record power gain cut off frequency (fMAX). The epitaxial stack of 60 nm thin channel MOSFET was grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) and hig
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2305.04725
Autor:
Saha, Sudipto, Meng, Lingyu, Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, Sharma, Ankit, Saha, Chinmoy Nath, Zhao, Hongping, Singisetti, Uttam
The lack of p-type doping has impeded the development of vertical gallium oxide (Ga2O3) devices. Current blocking layers (CBL) using implanted deep acceptors has been used to demonstrate vertical devices. This paper presents the first demonstration o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.05904
Autor:
Saha, Chinmoy Nath, Vaidya, Abhishek, Bhuiyan, A F M Anhar Uddin, Meng, Lingyu, Zhao, Hongping, Singisetti, Uttam
This letter reports high-performance $\mathrm{\beta} Ga2O3 thin channel MOSFETs with T-gate and degenerately doped source/drain contacts regrown by MOCVD. Gate length scaling (LG= 160-200 nm) leads to a peak drain current (ID,MAX) of 285 mA/mm and pe
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.01088
Publikováno v:
In AEUE - International Journal of Electronics and Communications December 2024 187
An ab-initio analysis based on coupled mode theory (CMT) is applied to describe the interaction dynamics of high dielectric resonators (DRs) with its containing aqueous solution. We prove that the coupling mechanism is reciprocal. Such property is ex
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2008.09861
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Wireless power transfer via a dielectric loaded multi-moded split cavity resonator (SCR) is proposed. Unlike conventional inductive resonant coupling, the scheme enables the control of both the real and imaginary parts of the transfer impedance. It i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.06684