Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"Sachid, Angada B"'
Autor:
Desai, Sujay B., Madhvapathy, Surabhi R., Sachid, Angada B., Llinas, Juan Pablo, Wang, Qingxiao, Ann, Geun Ho, Pitner, Gregory, Kim, Moon J., Bokor, Jeffrey, Hu, Chenming, Wong, H.-S. Philip, Javey, Ali
Publikováno v:
Science, 2016 Oct 01. 354(6308), 99-102.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/44710752
Autor:
Hariharan, Venkatnarayan, Thakker, Rajesh, Singh, Karmvir, Sachid, Angada B., Patil, M.B., Vasi, Juzer, Rao, V. Ramgopal
Publikováno v:
In Solid State Electronics 2009 53(9):1001-1008
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Desai, Sujay B, Madhvapathy, Surabhi R, Sachid, Angada B, Llinas, Juan Pablo, Wang, Qingxiao, Ahn, Geun Ho, Pitner, Gregory, Kim, Moon J, Bokor, Jeffrey, Hu, Chenming, Wong, H-S Philip, Javey, Ali
Publikováno v:
Science (New York, N.Y.), vol 354, iss 6308
Scaling of silicon (Si) transistors is predicted to fail below 5-nanometer (nm) gate lengths because of severe short channel effects. As an alternative to Si, certain layered semiconductors are attractive for their atomically uniform thickness down t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::63c082bc9605b555434fe14243dfef49
https://escholarship.org/uc/item/5157q7f4
https://escholarship.org/uc/item/5157q7f4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.