Zobrazeno 1 - 10
of 124
pro vyhledávání: '"SWAHN, B."'
Autor:
Swahn, B., Hassoun, S.
As device dimensions shrink into the nanometer range, power and performance constraints prohibit the longevity of traditional MOS devices in circuit design. A finFET, a quasi-planar double-gated device, has emerged as a replacement. FinFETs are forme
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::91a575cbe6ad2ae9ecaa5194f132f6f6
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00171381
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00171381
Autor:
Swahn, B., Soha Hassoun
Publikováno v:
2006 43rd ACM/IEEE Design Automation Conference; 2006, p528-531, 4p
Autor:
Swahn, B., Hassoun, S.
Publikováno v:
ICCAD-2003. International Conference on Computer Aided Design (IEEE Cat. No.03CH37486); 2003, p58-64, 7p
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Swahn, B.
Publikováno v:
Scandinavian Journal of Clinical & Laboratory Investigation; 1952, Vol. 4 Issue 2, p98-103, 6p
Publikováno v:
Neurology; Nov1961, Vol. 11 Issue 11, p989-995, 7p
Autor:
BIÖRCK, G., BLOMQVIST, G., HALL, P., JOHANSSON, B. W., LARSSON, EVA, MALMROS, H., SIEVERS, J., SWAHN, B.
Publikováno v:
Acta Medica Scandinavica; 1966, Vol. 179 Issue 6, p663-671, 9p
Publikováno v:
Acta Medica Scandinavica; 1964, Vol. 175 Issue 4, p499-506, 8p
Publikováno v:
Acta Medica Scandinavica; 1962, Vol. 171 Issue 6, p715-722, 8p
Publikováno v:
Acta Pathologica et Microbiologica Scandinavica; 1958, Vol. 43 Issue 3, p305-309, 5p