Zobrazeno 1 - 10
of 373
pro vyhledávání: '"SUNDAR, B."'
Autor:
Sundar, B, Bagyammal, T
Publikováno v:
In Procedia Computer Science 2022 215:642-651
Autor:
Das, Tirtha Pratim, Thampi, Smitha V., Dhanya, M. B., Naik, Neha, Sreelatha, P., Pradeepkumar, P., Padmanabhan, G. Padma, Sundar, B., Vajja, Dinakar Prasad, Nandi, Amarnath, Thampi, R. Satheesh, Yadav, Vipin K., Abhishek, J. K., Nazeer, Md., Lali, P. T., John, Rosmy, Aliyas, A. V., Sen, Vijay Kumar, Ramprabhu, M., Krishna, A. Ajay
Publikováno v:
Current Science, 2020 Jan . 118(2), 202-209.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/27226322
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2021 38 Part 5:3351-3357
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
SUNDAR, B.
Publikováno v:
The International Forestry Review, 2017 Jan 01. 19(4), 495-511.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/44709348
Publikováno v:
2022 International Conference on Power, Energy, Control and Transmission Systems (ICPECTS).
Autor:
Bhardwaj, Anil, Mohankumar, S. V., Das, Tirtha Pratim, Pradeepkumar, P., Sreelatha, P., Sundar, B., Nandi, Amarnath, Vajja, Dinakar Prasad, Dhanya, M. B., Naik, Neha, Supriya, G., Thampi, R. Satheesh, Padmanabhan, G. Padma, Yadav, Vipin K., Aliyas, A. V.
Publikováno v:
Current Science, 2015 Sep . 109(6), 1106-1113.
Externí odkaz:
http://www.jstor.org/stable/24905821
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 7, Iss 12, Pp 125311-125311-8 (2017)
Ti Schottky contacts were deposited on n-type 4H-SiC at different temperatures ranging from 28 oC to 900 oC using a magnetron sputtering deposition system to fabricate Schottky barrier diodes. Post deposition annealing at 500 oC for up to 60 hours in
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a398e4dca8bf4f599de07f312be0a8bb
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.