Zobrazeno 1 - 10
of 750
pro vyhledávání: '"STTMRAM"'
Publikováno v:
2021 IEEE 19th Student Conference on Research and Development (SCOReD).
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Demonstration of narrow switching distributions in STTMRAM arrays for LLC applications at 1x nm node
Autor:
C. P. D'Emic, S. L. Brown, E. R. J. Edwards, Gen P. Lauer, Janusz J. Nowak, Jung-hyeon Kim, Hyung-Suk Jung, Thitima Suwannasiri, Guohan Hu, Daniel C. Worledge, Matthias Georg Gottwald, Seonghoon Woo, Pouya Hashemi, Jonathan Z. Sun, Philip L. Trouilloud
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We demonstrate spin-transfer torque magnetoresistive random access memory (STT-MRAM) arrays achieving 2.8e-10 write error rate (WER) performance at 3 ns write duration at a magnetic tunnel junction (MTJ) diameter of 40 nm. The bit-to-bit distribution
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Chi Dinh Nguyen1 chind3@fe.edu.vn
Publikováno v:
Cogent Engineering. 2023, Vol. 10 Issue 1, p1-12. 12p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
PR Newswire
Publikováno v:
PR Newswire US. 02/25/2015.