Zobrazeno 1 - 10
of 126
pro vyhledávání: '"SPICE modeling"'
Autor:
Christian D. Matthus, Phanish Chava, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Thomas Mikolajick, Artur Erbe
Publikováno v:
Micro and Nano Engineering, Vol 23, Iss , Pp 100246- (2024)
The advent of two-dimensional (2D) materials has led to innovative and compact electronic devices with remarkable properties. In this work, we introduce a switchable bidirectional diode (2D BDiode), fabricated entirely using different 2D materials, t
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2715beb476fe419f84a163c9fcaf5da2
Autor:
Antonio Valletta, Matteo Rapisarda, Mattia Scagliotti, Guglielmo Fortunato, Luigi Mariucci, Andrea Fabbri, Paolo Branchini, Sabrina Calvi
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 708-716 (2023)
A non-quasi-static compact model well suited for the simulation of the electrical behavior of printed organic thin-film transistors (OTFTs) is proposed and validated. The model is based on the discretization of the current continuity equation by usin
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/21bc87c31d544e239f7e6620c6eb0dfb
Autor:
Tianshi Liu, Hua Zhang, Sundar Babu Isukapati, Emran Ashik, Adam J. Morgan, Bongmook Lee, Woongje Sung, Ayman Fayed, Marvin H. White, Anant K. Agarwal
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 129-138 (2022)
Silicon carbide (SiC) power integrated circuit (IC) technology allows monolithic integration of 600V lateral SiC power MOSFETs and low-voltage SiC CMOS devices. It enables application-specific SiC ICs with high power output and work under harsh (high
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/da1ff765b0fc44b8a3a07ceecf6d277a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 21, Iss 3, Pp 519-524 (2020)
The paper has been shown the results of the study of the parameters of organic light-emitting structures based on the SPICE (Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis) model studies. A SPICE model of diode structure has been developed, whic
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a8bbc9b8b4fe40939011296a2bf5e405
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ciro Scognamillo, Antonio Pio Catalano, Michele Riccio, Vincenzo d’Alessandro, Lorenzo Codecasa, Alessandro Borghese, Ravi Nath Tripathi, Alberto Castellazzi, Giovanni Breglio, Andrea Irace
Publikováno v:
Energies, Vol 14, Iss 15, p 4683 (2021)
In this paper, an advanced electrothermal simulation strategy is applied to a 3.3 kV silicon carbide MOSFET power module. The approach is based on a full circuital representation of the module, where use is made of the thermal equivalent of the Ohm
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/75d1d4390cbb40b89812ff8c14fd08b9
Publikováno v:
Crystals, Vol 10, Iss 7, p 601 (2020)
We present the compact unified charge control model (UCCM) for carbon nanotube field-effect transistors (CNTFETs) to enable the accurate simulation of the DC characteristics and plasmonic terahertz (THz) response in the CNTFETs. Accounting for the am
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/18838ab2b9284414bdb2bfe497e505cd
Publikováno v:
Radioengineering, Vol 22, Iss 4, Pp 945-968 (2013)
Memory circuit elements, namely memristive, memcapacitive and meminductive systems, are gaining considerable attention due to their ubiquity and use in diverse areas of science and technology. Their modeling within the most widely used environment, S
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/df071e202a264bbc8679af88fec10144