Zobrazeno 1 - 10
of 35
pro vyhledávání: '"SOLID-PHASE RECRYSTALLIZATION"'
Publikováno v:
Pribory i Metody Izmerenij, Vol 15, Iss 2, Pp 142-150 (2024)
Presently it is important to remove mechanically disturbed layer on wafer surface during creation of up-to-date microelectronic products. Rapid thermal treatment with optical pulses of second duration is one of the applicable methods for removing dis
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/36c5054ad5644957b7652e90ed066afc
Autor:
Toshiyuki Tabata, Fabien Roze, Pablo Acosta Alba, Sebastien Halty, Pierre-Edouard Raynal, Imen Karmous, Sebastien Kerdiles, Fulvio Mazzamuto
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 712-719 (2022)
UV laser annealing (UV-LA) enables surface-localized high-temperature thermal processing to form abrupt junctions in emerging monolithically stacked devices, where the applicable thermal budget is restricted. In this work, UV-LA is performed to regro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/15ed53d744e64e2db4b3d7275026dcce
Publikováno v:
Конденсированные среды и межфазные границы, Vol 20, Iss 1, Pp 125-134 (2018)
Abstract. Presents experimental results of Al and Pb metals crystallization carried out under highintensity plastic deformation (HIPD) [ε′ = (102–104) sec–1] reaching the level of so called “solid-li quid” state in the new type of centrifu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8067b793064f45acb6f8a79bee0561fd
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bernard Beaumont, Robert Triboulet, Nicolas Grandjean, Philippe Lemasson, Gérard Neu, S. Porowski, Hacene Lahreche, M. Teisseire, Izabella Grzegory, Fabrice Semond
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. :39-53
We present an overview of recent selective photoluminescence (PL) experiments on shallow levels in ZnSe and GaN. Through two electron transitions (TET) and electronic Raman scattering (ERS) investigations on solid phase recrystallized bulk ZnSe doped
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::bc8a50245313de2faa81619bcc0239cc
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00403-3
https://doi.org/10.1016/s0921-4526(01)00403-3
Publikováno v:
7th International Conference on Multiscale Materials Modeling (MMM 2014), 06.-10.10.2014, Berkeley, USA
Advanced Si and Ge nanowire transistors can be produced by top-down or bottom-up approaches. In order to obtain the desired electrical properties doping of the nanowires is required. Ion implantation is one of the favored methods to introduce dopant
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::54a1c86946147d021bb9124a463be011
https://www.hzdr.de/publications/Publ-21046-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-21046-1
Autor:
Posselt, M.
Publikováno v:
2013 MRS Fall Meeting & Exhibit, Symposium SS, 01.-06.12.2013, Boston, USA
There are several routes to produce advanced nanowire transistors based on silicon. In order to obtain the desired electrical properties doping of the nanowires is required. Ion implantation is one of the favored methods to introduce dopant atoms in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::ba8e86b414f032ebc25e070de296acc9
https://www.hzdr.de/publications/Publ-19511-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-19511-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.