Zobrazeno 1 - 10
of 174
pro vyhledávání: '"SOI wafer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peng Li, Wei Li, Changnan Chen, Sheng Wu, Pichao Pan, Ke Sun, Min Liu, Jiachou Wang, Xinxin Li
Publikováno v:
Micromachines, Vol 14, Iss 5, p 981 (2023)
This paper proposes a piezoresistive high-temperature absolute pressure sensor based on (100)/(111) hybrid SOI (silicon-on-insulator) silicon wafers, where the active layer is (100) silicon and the handle layer is (111) silicon. The 1.5 MPa ranged se
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e0a6bc98142f4010a036aa0d478d6517
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 12, p 1586 (2021)
Three-dimensional integration technology provides a promising total solution that can be used to achieve system-level integration with high function density and low cost. In this study, a wafer-level 3D integration technology using PDAP as an interme
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4958145bc65a47f3927dae9a2767bdd3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 10, Iss 6, p 376 (2019)
This paper deals with the manipulation of micro-objects operated by a new concept multi-hinge multi-DoF (degree of freedom) microsystem. The system is composed of a planar 3-DoF microstage and of a set of one-DoF microgrippers, and it is arranged is
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a4dbae4c5c3145528d3eae8432f5cb97
Autor:
Gastaldi, Carlotta
Ferroelectric materials are explored for numerous applications thanks to their properties associated with electrically switchable spontaneous polarization. Perovskites are an established class of ferroelectrics used for sensors and actuators. However
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::13f4bd3547d9670c288e0ec55234d1bc
Autor:
Bogalecki, Alfons Willi
To investigate quantum confinement effects on silicon (Si) light source electroluminescence (EL) properties like quantum efficiency, external power efficiency and spectral emission, thin Si finger junctions with nanometre-scale dimensions were design
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/2263/22806
http://upetd.up.ac.za/thesis/available/etd-01112010-172357/
http://upetd.up.ac.za/thesis/available/etd-01112010-172357/