Zobrazeno 1 - 10
of 14 165
pro vyhledávání: '"SOI wafer"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Access, Vol 12, Pp 163444-163451 (2024)
Despite advancements in mitigating the short channel effect using high-k materials, multi-gate structures, and silicon-germanium (SiGe) alloys in three-dimensional FinFETs, performance trade-offs remain. This study introduces a novel machine learning
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3bf3f29b843848dd949ecbb9a289faef
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 13, Iss 8, Pp 085009-085009-7 (2023)
Silicon-on-insulator (SOI) devices have many advantages, such as high speed, low energy consumption, radiation-hard, and high integration. In this paper, the separation by implanted oxygen process under low-dose implantation conditions is studied by
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e1c564ee230d435d94dc6cdd41ec55ef
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 15 April 2020 227
Publikováno v:
Applications of Modelling and Simulation, Vol 6, Pp 64-71 (2022)
In this paper, Finite Element Method (FEM)-based design and simulation of circular capacitive micromachined ultrasonic transducer (CMUT) has been discussed. The FEM simulation of CMUT is accomplished by using MEMCAD tools CoventorWare® and COMSOLTM.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5c41ac0b1f744a15977e138ac6e83252
Publikováno v:
In Materials Today: Proceedings 2019 17 Part 3:700-706
Autor:
Tian, Tang Yi, Yaacob, Khatijah Aisha
Publikováno v:
Applied Mechanics and Materials; January 2024, Vol. 918 Issue: 1 p75-81, 7p
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2018 148:27-34