Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"SOI Sensor"'
Publikováno v:
NUML International Journal of Engineering and Computing, Vol 3, Iss 1 (2024)
The subwavelength grating microring resonator based filter shows great promise in optical sensing and communication. However, it spectrum nature makes it unsuitable for tracking or extracting a single wavelength from a broadband light source. In this
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/51b6584568df4f469e2c6d61783d9b62
Autor:
Anak Agung Ngurah Gde Sapteka, Hoang Nhat Tan, Ryosuke Unno, Daniel Moraru, Arief Udhiarto, Sri Purwiyanti, Michiharu Tabe, Djoko Hartanto, Harry Sudibyo
Publikováno v:
International Journal of Technology, Vol 6, Iss 3, Pp 318-326 (2015)
This report is focused on the linear region of I-V characteristics of nanoscale highly-doped p-i-n diodes fabricated within ultrathin silicon-on-insulator (SOI) structures with an intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm under a forward bias at
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ea1958e523df417980d01b689b90b86a
Publikováno v:
Procedia Engineering. 87:720-723
In this paper we present a high reliable, accurate and safe, solid state pressure sensor for high temperature applications. The sensor is based on an unique fluid-free technology using a piezoresistive SOI-based chip enclosed in a sealed metal housin
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::687adbac9c4a16350cc0ceca88ed4cde
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. A. N. Gde Sapteka, Djoko Hartanto, Harry Sudibyo, Michiharu Tabe, Daniel Moraru, Hoang Nhat Tan, Ryousuke Unno, Arief Udhiarto, Sri Purwiyanti
Publikováno v:
International Journal of Technology, Vol 6, Iss 3, Pp 318-326 (2015)
This report is focused on the linear region of I-V characteristics of nanoscale highly-doped p-i-n diodes fabricated within ultrathin silicon-on-insulator (SOI) structures with an intrinsic layer length of 200 nm and 700 nm under a forward bias at a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f6f589641780d0e4544b444cb76842e2
https://doi.org/10.14716/ijtech.v6i3.1150
https://doi.org/10.14716/ijtech.v6i3.1150
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.