Zobrazeno 1 - 10
of 1 495
pro vyhledávání: '"SOI FinFETs"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mao, Shujuan, Gao, Jianfeng, He, Xiaobing, Liu, Weibing, Zhou, Na, Luo, Yanna, Cao, Lei, Hu, Yanpeng, Zhang, Yongkui, Liu, Jinbiao, Wang, Guilei, Li, Tingting, Wu, Zhenhua, Li, Yongliang, Li, Junfeng, Luo, Jun, Zhao, Chao, Wang, Wenwu, Yin, Huaxiang
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 1 May 2022 260
Este trabalho foi realizado tendo como objetivo o estudo do ponto invariante com a temperatura (ZTC - Zero Temperature Coefficient) para transistores com estrutura SOI FinFET em relação aos efeitos de tensionamento e radiação, através da utiliza
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Peng Lu1 lupeng@ime.ac.cn, Can Yang1 yangcan@ime.ac.cn, Yifei Li1 liyifei@ime.ac.cn, Bo Li1 libo3@ime.ac.cn, Zhengsheng Han1 zshan@ime.ac.cn
Publikováno v:
Eng. Dec2021, Vol. 2 Issue 4, p620-631. 12p.
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability May 2021 120
Autor:
Nicoletti, Talitha
Este trabalho apresenta o estudo do comportamento da resistência série de fonte e dreno em transistores SOI FinFET de porta tripla e com canal tensionado. Nos dispositivos SOI FinFETs há um aumento da resistência série de fonte e dreno devido ao
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.