Zobrazeno 1 - 10 of 190 pro vyhledávání: '"SOH, C. B."'
1
Akademický článek
Crystallographically tilted and partially strain relaxed GaN grown on inclined {111} facets etched on Si(100) substrate.
Autor: Ansah Antwi, K. K., Soh, C. B., Wee, Q., Tan, Rayson J. N., Yang, P., Tan, H. R., Sun, L. F., Shen, Z. X., Chua, S. J.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec2013, Vol. 114 Issue 24, p243512, 9p, 4 Diagrams, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Generation of amber III-nitride based light emitting diodes by indium rich InGaN quantum dots with InGaN wetting layer and AlN encapsulation layer.
Autor: Soh, C. B., Liu, W., Chua, S. J., Ang, S. S., Tan, Rayson J. N., Chow, S. Y.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov2010, Vol. 108 Issue 9, p093501, 5p, 1 Color Photograph, 1 Black and White Photograph, 1 Diagram, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Influence of composition pulling effect on the two-dimensional electron gas formed at AlyInxGa1-x-yN/GaN interface.
Autor: Soh, C. B., Chua, S. J., Tripathy, S., Chow, S. Y., Chi, D. Z., Liu, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/2005, Vol. 98 Issue 10, p103704, 8p, 2 Diagrams, 3 Charts, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Assignment of deep levels causing yellow luminescence in GaN.
Autor: Soh, C. B., Chua, S. J., Lim, H. F., Chi, D. Z., Tripathy, S., Liu, W.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/1/2004, Vol. 96 Issue 3, p1341-1347, 7p, 1 Diagram, 3 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Effect of Morphological and Structural Properties on SIMS Depth Profiles of InGaN/GaN Multiple Quantum Wells Grown on Sapphire by MOCVD.
Autor: Liu, H. F., Huang, J., Li, C. G., Soh, C. B., Liu, W., Chua, S. J., Chi, D. Z.
Publikováno v: Journal of Molecular & Engineering Materials; Sep2015, Vol. 3 Issue 3/4, p-1, 6p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje